最大的風(fēng)暴眼，并非來自性能，而是直指Galaxy Ultra系列的靈魂——S Pen。有傳聞稱，為了追求更極致的輕薄機(jī)身，并為設(shè)備集成完整的Qi2磁吸無線充電功能（類似蘋果的MagSafe），三星可能正在考慮一項(xiàng)顛覆性的設(shè)計：移除屏幕下方的S Pen電磁數(shù)位板。這塊數(shù)位板是實(shí)現(xiàn)當(dāng)前S Pen精準(zhǔn)書寫和懸浮指令的核心硬件。移除它，意味著可以釋放出寶貴的內(nèi)部空間，讓機(jī)身變得更薄，同時容納下磁吸充電所需的線圈模組。這無疑是激進(jìn)的，它挑戰(zhàn)了Ultra系列長久以來建立的用戶認(rèn)知。但這是否意味著S Pen的終結(jié)？或許不會。三星可能正在研發(fā)一種無需傳統(tǒng)數(shù)位板的新型手寫筆技術(shù)，但這無疑是一次巨大的賭博，一次對核心用戶使用習(xí)慣的重新定義。
與形態(tài)上的巨大爭議相比，性能核心的升級則顯得順理成章。幾乎可以確定，Galaxy S26 Ultra將再次奉行雙芯戰(zhàn)略。大部分市場將迎來高通下一代的旗艦平臺，或被命名為“驍龍8 Gen 5”，其將采用更先進(jìn)的制程工藝和全新的CPU架構(gòu)，為AI計算和游戲性能提供更澎湃的動力。而在歐洲等特定市場，三星自家的Exynos 2600芯片也將登場，據(jù)稱將首次采用2nm制程，其能效表現(xiàn)和追趕高通的決心值得期待。無論搭載哪款芯片，配合至少12GB起步的RAM，S26 Ultra的性能王座依舊穩(wěn)固。
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